GaN PD 33W USB-A טיפּ C פּאָרט שנעל טשאַרדזשער
ספּעסיפיקאַטיאָן פֿאַר האַסקאָמע
פּראָדוקט נאָמען: GaN PD33W (A + C פּאָרט)
מאָדעל נומער: GaN-005
PLUG TYPE
AU צאַפּן טיפּ
אי.יו. צאַפּן טיפּ
JP צאַפּן טיפּ
וק צאַפּן טיפּ
1.פאַרנעם
די GaN-005 גאַליום ניטריד טשאַרדזשער אַדאַפּץ די טיפּ-C צובינד, די מאַקסימום מאַכט איז 33 וו, און די רעזולטאַט איז וסב-C: 5V⎓3A,9V⎓3A,12V⎓2.5A,15V⎓2A,20V⎓1.5A
(PPS)3.3-11V⎓3A,3.3-16V⎓2A
וסב-א: 5V⎓3A,9V⎓3A,12V⎓2.5A,20V⎓1.5A
USB-A+USB-C:5V⎓4A
דער אויסזען פון די פּראָדוקט איז פּשוט און עלעגאַנט.
2.פּראָדוקט אויסזען צייכענונג
3.פּראָדוקט עלעקטריקאַל ספּעסאַפאַקיישאַנז
3.1.אַק אַרייַנשרייַב קעראַקטעריסטיקס
3.1.1.אַרייַנשרייַב וואָולטידזש און אָפטקייַט קייט
| לאָזן אַרייַנשרייַב | |
| וואָולטידזש (V) | 100-240 |
| אָפטקייַט (הז) | 50/60 |
3.1.2 אַרייַנשרייַב קעראַקטעריסטיקס
ניט-מאַסע מאַכט קאַנסאַמשאַן: ≤0.1W
גאַנץ מאַסע אַק אַרייַנשרייַב קראַנט: ≤0.85אַ
3.2.רעזולטאַט טשאַראַקטעריסטיקס
| פּאָרט | ניט-מאַסע וואָולטידזש | גאַנץ מאַסע וואָולטידזש | רעזולטאַט קראַנט |
| וסב-C | 5.16V±5% | 4.37±5% | 3A |
| 9.14V±5% | 8.37±5% | 3A | |
| 12.13V±5% | 11.49±5% | 2.5 א | |
| 15.12V±5% | 14.62±5% | 2A | |
| 20.1V±5% | 19.74±5% | 1.5 אַ | |
| וסב-א | 5.16V±5% | 4.92±5% | 3A |
| 9.14V±5% | 8.93±5% | 3A | |
| 12.12V±5% | 11.96±5% | 2.5 א | |
| 20.09V±5% | 20.01±5% | 1.5 אַ |
（USB-C פּאָרט פּרובירן＞3A קראַנט דאַרף זיין געוויינטE-מאַרקערדראָט)
ינרוש קראַנט (קאַלט אָנהייב)
די ינרוש קראַנט פון קאַלט אָנהייב איז ין 30A.עס וועט זיין קיין שטענדיק שעדיקן צו די מאַכט צושטעלן אָדער פּראַל אויף פעסטקייַט אונטער קאַלט אָדער וואַרעם אָנהייב טנאָים.די העסקעם פּראָבע וועט זיין דורכגעקאָכט ביי +12.5% פון די רייטאַד אַרייַנשרייַב וואָולטידזש.ווען די פונדרויסנדיק מאַכט באַשטימען איז אויסגעדרייט, די וואָולטידזש און קראַנט וואַוועפאָרמס וועט זיין געוויזן אויף די אַסאַלאָסקאָופּ.די באַשטימען קער-אַוועק וועט זיין ריפּיטיד ביז די וואַוועפאָרמס ווייַזן אַז די קער-אַוועק וואַוועפאָרם גלייַכן די וואָולטידזש קאַפּ.די געמאסטן קראַנט אין דעם צייַט איז דיפיינד ווי די מאַקסימום ינרוש קראַנט.
3.3.רעזולטאַט קאַנעקטער
טיפּ-C
3.4.טשאַרדזשינג פּראָטאָקאָל
| וסב-C |
|
| וסב-א |  |
3.5.ריפּאַל און ראַש
| דק רעזולטאַט קאַנאַל | +5V,3A |
| ריפּאַל און ראַש(mVp-p) | ≤100mV |
1.טעסט ניצן אַ אָססילאַסקאָופּ מיט 20MHz באַנדווידט;
2.ווען מעסטן, פאַרבינדן אַ 0.1µF סעראַמיק קאַפּאַסאַטער און אַ 10µF עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטער אין פּאַראַלעל צווישן די רעזולטאַט און ערד.
3.6.מאַכט עפעקטיווקייַט
אונטער 220 וו / 50 הז אַרייַנשרייַב צושטאַנד:
ווען די מאַכט רעזולטאַט איז 100% מאַסע, די עפעקטיווקייַט פון די גאנצעטשאַרדזשער איז ≥85%.
3.7.שוץ פֿונקציע
3.7.1 רעזולטאַט OCP (אָווערקוררענט פּראַטעקשאַן)
ווען די מאַקסימום קראַנט פון 5 וו רעזולטאַט יקסידז 4 אַ, מאַכט צושטעלן שוץ (היקאַפּ שוץ)
3.7.2 OTP (איבער טעמפּעראַטור שוץ)
אונטער די עקסטרעם הויך טעמפּעראַטור סוויווע, ווען די שפּאָן טעמפּעראַטור יקסידז 150 °, די מאַכט צושטעלן האט קיין רעזולטאַט (היקאַפּ)
3.7.3.רעזולטאַט קורץ קרייַז שוץ
די DC רעזולטאַט מוזן האָבן קורץ-קרייַז שוץ.די מאַכט צושטעלן וועט נישט פאַרשאַפן קיין שעדיקן רעכט צו דער רעזולטאַט קורץ-קרייַז.אַמאָל די קורץ-קרייַז שולד איז אַוועקגענומען, די מאַכט צושטעלן וועט אויטאָמאַטיש צוריקקומען צו נאָרמאַל.
3.8.ינסאַליישאַן זיכערקייַט
הויך וואָולטידזש 3000Vac 50Hz 60S≤10מאַ
3.9.ארבעטן סוויווע
דער פּראָדוקט איז פּאַסיק פֿאַר געביטן מיט אַ הייך פון 2000 ם און ווייטער
3.10.ארבעטן טעמפּעראַטור
פּראָדוקטן פּאַסיק פֿאַר נוצן אין ניט-טראַפּיקאַל קליימיץ
3.11.סטאָרידזש טעמפּעראַטור
-40℃～+80℃
3.12.ארבעטן הומידיטי
10% ~ 90%
3.13.סטאָרידזש הומידיטי
10% ~ 90%
3.14.פּקב צייכענונג
4.פּראָדוקט סטרוקטור ספּעסאַפאַקיישאַנז
4.1.דריי קוקן פון דעם פּראָדוקט
4.2.ויסווייניקסט טשאַרדזשער שאָל מאַטעריאַל
PC V0 פייערפּרוף מאַטעריאַל
4.3.פאַלן פּרובירן
דער פּראָדוקט איז נישט פּאַקידזשד, און די פּראָדוקט איז דראַפּט פֿון אַ הייך פון 1000 מם אָן מאַכט אויף, און איז פריי-פאַלן פּרובירן אויף אַ צעמענט שטאָק מיט אַ 20 מם ווודאַן ברעט.זעקס פנימער, 2 טראפנס אויף יעדער פּנים.נאָך די פּראָבע, די עלעקטריקאַל פאָרשטעלונג איז טעסטעד, און די טשאַרדזשער האט קיין אַבנאָרמאַל טשאַראַקטעריסטיקס.
4.4.מאַכט צושטעלן וואָג
וועגן 70 ג
5.עלעקטראָמאַגנעטיק קאַמפּאַטאַבילאַטי
נאָכקומען מיט GB9254-2008 נאָרמאַל
